3     倒裝芯片底填充工藝

       為了提高 FC 組件的封裝可靠性，必須進行底填充。底填充可以有效的緩解芯片、基板和焊料三者之間的 CTE 不匹配，增強封裝體的熱性能，還可以保護焊料凸點，提升封裝體的力學性能。底填充造成的性能提高為低成本有機基板封裝上的 FC 技術焊打開了大門，使 FC 技術的應用更加廣泛，例如可以應用在個人電腦、筆記本電腦、智能手機、平板電腦等設備的處理器中。

       大多數底填料是由低膨脹填充材料如熔融石英和液體預聚物如熱固性樹脂 ( 粘合劑) 組成的，均可固化為固體復合材料。一般，底填充工藝可被分為（晶圓鍵合機）鍵合后底填充和鍵合前底填充兩大類。

3. 1   鍵合后底填充

       （晶圓鍵合機）鍵合后底填充是指在完成 FC 鍵合后，即 FC 芯片已經在基板上并且焊點已經通過回流焊或熱壓鍵合的方式進行了鍵合后，再進行底部填充。鍵合后底填充可以通過兩種方法實現，即毛細管底填充  ( Capillary Underfill，CUF)  和塑模底填充  ( Molded Underfill，MUF) ，如圖11 所示。

圖 11 鍵合前底填充工藝

Fig. 11 Process of pre-assembly underfill

       CUF 是第一種進行批量生產的底填充方法，其工藝流程如下: 清洗掉芯片完成鍵合后殘余的焊劑，在基板上 FC 芯片的一側 ( 或兩側) 用針頭或噴嘴滴涂底填膠，再通過毛細作用使底填膠完全填滿芯片、焊點和基板之間的間隙，然后通過固化底填料將芯片和基板牢固地結合起來。CUF 只能進行單個芯片的封裝，因此效率較低。