在本研究中，使用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）（* 2）在Si襯底上制造了高質量的GaN外延膜，以制造GaN諧振器。提出了應變工程以改善時間性能。通過利用GaN和Si襯底之間的晶格失配和熱失配來實現應變。因此，無需任何應變去除層即可直接在Si上生長GaN。通過優化MOCVD生長過程中的降溫方法，在GaN上沒有觀察到裂紋，其晶體質量與使用超晶格應變去除層的常規方法所獲得的晶體質量相當。