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ThetaMetrisis FR-Scanner-AIO-Mic-XY200:自動化薄膜厚度測繪系統介紹

發布時間:2022-10-13

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FR-Scanner-AIO-Mic-XY200介紹 

模塊化厚度測繪系統平臺,集成了光學、電子和機械模塊,用于表征圖案化薄膜光學參數。典型案例包括(但不限于)微圖案表面、粗糙表面等。晶圓放置在真空吸盤上,該真空吸盤支持尺寸/直徑達 200 毫米的各種晶圓,執行測量光斑尺寸小至幾微米的強大光學模塊。電動平臺提供XY方向200毫米的行程,在速度、精度和可重復性方面具有前所未有的性能。

                                                      圖片1.png                                                           

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供:o 實時光譜反射率測量 o 薄膜厚度、光學特性、不均勻性測量、厚度測繪o 使用集成的、USB 連接的高質量彩色相機進行成像o 測量參數的統計數據


特征

圖片2.png

o 單擊分析無需初始猜測)                

o 動態測量  

o 光學參數(n & k、色座標)

o Click2Move 和圖案測量位置對齊功能

o 多個離線分析安裝

o 件更新


規格

Model

UV/VIS

UV/NIR -EX

UV/NIR-HR

D UV/NIR

VIS/NIR

D VIS/NIR

NIR

NIR-N2

Spectral Range (nm)

200 – 850

200 –1020

200-1100

200 – 1700

370 –1020

370 – 1700

900 – 1700

900 - 1050

Spectrometer Pixels

3648

3648

3648

3648 & 512

3648

3648 & 512

512

3648

Thickness range (SiO2) *1

5X- VIS/NIR

4nm – 60μm

4nm – 70μm

4nm – 100μm

4nm – 150μm

15nm – 90μm

15nm–150μm

100nm-150μm

4um – 1mm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm – 50μm

4nm – 60μm

4nm – 80μm

4nm – 130μm

15nm – 80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X- UV/NIR *

4nm – 40μm

4nm – 50μm

4nm – 50μm

4nm – 120μm

100nm-100μm

20X- VIS/NIR

20X- UV/NIR *

4nm – 25μm

4nm – 30μm

4nm – 30μm

4nm – 50μm

15nm – 30μm

15nm – 50μm

100nm – 50μm

40X- UV/NIR *

4nm – 4μm

4nm – 4μm

4nm – 5μm

4nm – 6μm

50X- VIS/NIR

15nm – 5μm

15nm – 5μm

100nm – 5μm

Min. Thickness for n & k

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

Thickness Accuracy **2

0.1% or 1nm

0.2% or 2nm

3nm or 0.3%

 

Thickness Precision **3/4

0.02nm

0.02nm

<1nm

5nm

Thickness stability **5

0.05nm

0.05nm

<1nm

5nm

Light Source

Deuterium & Halogen

Halogen (internal), 3000h (MTBF)

Min. incremental motion

0.6μm

Stage repeatability

±2μm

Absolute accuracy

±3μm

Material Database

> 700 different materials

Wafer size

2in-3in-4in-6in-8in

Scanning Speed

100meas/min (8’’ wafer size)

Tool dimensions / Weight

700x700x200mm / 45Kg

 

測量區域光斑(收集反射信號的區域)與物鏡和孔徑大小有關

物鏡

Spot Size (光斑)

放大倍率

500微米孔徑

250微米孔徑

100微米孔徑

5x

100 μm

50 μm

20 μm

10x

50 μm

25 μm

10 μm

20x

25 μm

15 μm

5 μm

50x

10 μm

5 μm

2 μm

Principle of Operation 測量原理White Light Reflectance Spectroscopy (WLRS) 白光反射光譜是測量從單層薄膜或多層薄膜堆疊結構的一個波長范圍內的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或完全反射基板上)薄膜的厚度、光學常數N&K)等。


圖片4.png


*1規格如有變更,恕不另行通知,*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結果匹配,*3超過15天平均值的標準偏差平均值,樣品:硅晶片上1微米SiO2,*4標準偏差100次厚度測量結果,樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內每日平均值的2*標準差。樣品:硅片上1微米SiO2。

                                              


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